日记大全|半导体设备转正报告总结(精选十二篇)_半导体设备转正报告总结

半导体设备转正报告总结(精选十二篇)。

半导体设备转正报告总结 〖1〗

半导体及光伏行业设备销售

system sales of semiconductor and pv industry

半导体，光伏，光热行业相关经验者优先。

applicants with experiences in the industry of semiconductor，photovoltaic and photo thermal are preferred。

英语熟练者优先。

applicants with good english are preferred。

岗位要求：

requirements：

1、有微电子、自动化、材料、机械类行业背景，理科类专业

with a background of microelectronics，automation，material and mechanics etc。 major in science。

2、有独立的学习能力

independent learning ability

3、从事半导体及光伏行业设备销售2年及以上

over two years' sales experience in semiconductor and pv industry

4、大学英语四级，能与外方简单沟通

college english test brand 4，basic communication with foreigners

5、能够接受出差

must be able to go to business trips

半导体设备转正报告总结 〖2〗

半导体技工，是一个在半导体制造工业领域中至关重要的职业。他们负责操作和维护半导体设备，确保生产工艺的顺利进行。为了在这个职业中取得成功，一个全面而详细的工作计划是必不可少的。在这篇文章中，我将详细介绍一个半导体技工的工作计划，包括每天的工作任务、时间管理、技术培训和个人发展。

首先，一个半导体技工的工作计划应该包括每天的工作任务。这些任务可能包括设备的设定和操作、生产参数的监控、设备的维护和保养等。技工需要根据生产计划的要求，及时完成每项任务，并确保质量和效率。在编制工作计划时，应该详细列出每项任务，并合理安排时间和优先级。例如，设备设定和操作可能需要更多的时间和注意力，因此应该优先进行。此外，工作计划还应考虑到可能出现的突发情况，如设备故障或工艺问题，以预留给技工处理这些问题的时间。

除了每天的工作任务，一个半导体技工的工作计划还应包括时间管理。技工需要合理安排时间，确保工作得以顺利进行。这包括规划每项任务所需的时间，并在需要的时候做出调整。另外，技工还需把握好休息和休假的时间，以保持身心健康。适当的休息可以提高工作效率和质量，预防疲劳和失误。因此，工作计划应包括定期的休息和休假，以及合理分配工作时间和休息时间。

此外，一个半导体技工的工作计划还应包括技术培训和个人发展的计划。半导体制造工业发展迅速，技术不断更新，因此技工需要保持学习和进步。工作计划应包括定期的技术培训，以提高技能和知识水平。这可以通过参加培训班、阅读相关技术书籍、参观展览会等方式进行。另外，技工还应注意个人发展，提高领导才能和沟通能力。这可以通过参加管理培训、学习英语、提升团队合作意识等方式实现。一个详细的工作计划可以帮助技工制定合理的培训计划，并对个人发展目标有清晰的规划。

总结起来，一个半导体技工的工作计划应包括每天的工作任务、时间管理、技术培训和个人发展。一个全面而详细的工作计划可以帮助技工高效地完成工作，并不断提高自身能力。在制定工作计划时，技工应考虑到生产计划的要求、突发情况的可能性，并合理安排时间和优先级。同时，技工还应保持学习和进步的心态，通过技术培训和个人发展计划不断提高自身能力。只有这样，技工才能在半导体制造领域中取得成功，为行业的发展做出贡献。

半导体设备转正报告总结 〖3〗

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半导体工艺实习报告

从1948年发明了晶体管，1960年集成电路问世，1962年出现第一代半导体激光器到如今21世纪的光电子时代，半导体制造工艺飞速发展着。而作为一名集成电路专业的本科学生，工艺实习无疑成为了我们的常做之事。在刚刚结束的两次半导体工艺实习课上，通过老师的耐心指导，我受益匪浅。 在第一次课程上，我首先见证了沙子的不甘平庸。硅是作为集成电路的基础性材料，而沙子则是提取硅最主要的来源。硅主要是由于它有一下几个特点：原料充分;硅晶体表面易于生长稳定的氧化层，这对于保护硅表面器件或电路的结构、性质很重要;重量轻，密度只有2.33g/cm3;热学特性好，线热膨胀系数小，

2.5*10-6/℃，热导率高，1.50W/cm℃;单晶圆片的缺陷少，直径大，工艺性能好;机械性能良好等。在掌握了硅的优点之后，熟悉了单晶硅的生长。采用熔体生长法制备单晶硅棒：多晶硅→熔体硅→单晶硅棒。单晶硅的生长原理为：固体状态下原子的排列方式有无规则排列的非晶态，也可以成为规则排列的晶体，其决定

1物

2熔融液体的粘度，粘度表因素有三方面:○质的本质，即原子以哪种方式结合;○

3熔融液体的冷却速度，冷却速度快，到达结晶征流体中发生相对运动的阻力;○

温度原子来不及重新排列就降更低温度，最终到室温时难以重组合成晶体，可以将无规则排列固定下来。

了解硅之后，又见识到了半导体材料的奇特。半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10(U-3)～10(U-9)欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。 半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。不同类型半导体间接触(够成PN结)或半导体与金属接触时，因电子(或空穴)浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，半导体材料的导电性对外界条件(如热、光、电、磁等因素)的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。

在了解完材料之后，老师带领着我们揭开了集成电路基本制造工艺的真正面纱。其基本的工艺步骤为：氧化层生长、热扩散、光刻、离子注入、淀积(蒸发)和刻蚀等步骤。

(一)氧化氧化是在硅片表面生长一层二氧化硅(2iSO)膜的过程。这层膜的作用是：保护和钝化半导体表面：作为杂质选择扩散的掩蔽层;用于电极引线和其下面硅器件之间的绝缘;用作MOS电容和MOS器件栅极的介电层等等。

(二)扩散半导体工艺中扩散是杂质原子从材料表面向内部的运动。和气体在空气中扩散的情况相似，半导体杂质的扩散是在800-1400℃温度范围内进行。从本质上来讲，扩散是微观离子作无规则的热运动的统 计结果。这种运动总是由离子浓度较高的地方向着浓度较低的地方进行，而使得离子得分布逐渐趋于均匀;浓度差别越大，扩散也越快。根据扩散时半导体表面杂质浓度变化的情况来区分，扩散有两类，即无限杂质源扩散(恒定表面源扩散)和有限杂质源扩(有限表面源扩散)。

(三)光刻光刻是一种复印图象和化学腐蚀相接合的综合技术。它先采用照相复印的方法，将事先制好的光刻板上的图象精确地、重复地印在涂有感光胶的2iSO层(或AL层上)，然后利用光刻胶的选择性保护作用对2iSO层(或AL层)进行选择性的化学腐蚀，从而在2iSO层(或AL层)刻出与光刻版相应的图形。

(四)薄膜淀积 淀积是在硅片上淀积各种材料的薄膜，可以采用真空蒸发镀膜、溅射或化学汽相淀积(CVD)等方法淀积薄膜。在真空蒸发淀积时，固体蒸发源材料被放在10-5Torr的真空中有电阻丝加热至蒸发台，蒸发分子撞击到较冷的硅片，在硅片表面冷凝形成约1um厚的固态薄膜。更为先进的电子束蒸发利用高压加速并聚焦的电子束加热蒸发源使之淀积在硅片

表面和离子注入、淀积(在硅片上淀积各种材料的薄膜)、刻蚀(去除无保护层的表面材料的过程)。

第二次课上，通过观擦学长与老师的现场操作，我学习到了如何验证三极管的偏差值。并掌握了三极管的使用与PN节的功率特性曲线等，这对我以后的实验与学习奠定了很好的基础。通过查阅资料和老师讲解，我还了解到了摩尔定律。

摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。摩尔定律并非数学、物理定律，而是对发展趋势的一种分析预测，因此，无论是它的文字表述还是定量计算，都应当容许一定的宽裕度。从这个意义上看，摩尔的预言是准确而难能可贵的，所以才会得到业界人士的公认，并产生巨大的反响。这一定律揭示了信息技术进步的速度。尽管这种趋势已经持续了超过半个世纪，摩尔定律仍应该被认为是观测或推测，而不是一个物理或自然法。预计定律将持续到至少或。然而，国际半导体技术发展路线图的更新增长已经放缓在年底，之后的时间里晶体管数量密度预计只会每三年翻一番

“摩尔定律”对整个世界意义深远。在回顾多年来半导体芯片业的进展并展望其未来时，信息技术专家们认为，在以后“摩尔定律”可能还会适用。但随着晶体管电路逐渐接近性能极限，这一定律终将走到尽头。

通过这次的工艺实习，我相信同学们和我一样受益颇多，同时对半导体工艺、微电子器件、半导体材料与半导体实验等都有了初步的认识，对集成电路工程这个专业也有一个更加广阔的了解。作为工科生的我们，必须在实验中提升自己的能力与技术，所以

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半导体技术是当今现代科技领域的一项重要技术，它的发展对于电子设备的革新和进步起到了至关重要的作用。本文将从半导体技术的背景与发展、工作内容与技能要求、团队合作等方面来总结半导体技术工作的重要性和挑战，以及我所承担的工作经验与成就。

一、背景与发展：

半导体技术是一种通过控制材料电导率的方法，实现对电子电流的精确控制。从二十世纪中期开始，随着晶体管和集成电路的出现，半导体技术得到了快速发展。如今，半导体技术已广泛应用于计算机、通信、医疗、汽车等领域，不断引领着科技的新浪潮。

二、工作内容与技能要求：

1. 设计与制造：半导体技术工作中的重要环节之一是设计与制造。需要掌握各种半导体器件的原理，如晶体管、集成电路等，并能够通过软件设计工具实现电路的布局与仿真。制造过程中还要运用先进的工艺技术，如光刻、薄膜沉积等，确保半导体器件的质量与性能。

2. 测试与优化：在半导体技术工作中，测试与优化起着至关重要的作用。需要熟悉不同类型的测试仪器与工具，如示波器、频谱分析仪等，以检测半导体器件的性能与损耗情况。同时，根据测试结果进行优化，提高器件的电流传输效率与可靠性。

3. 故障排除与维修：半导体器件的故障排除与维修是半导体技术工作中常见的任务。需要掌握查找和分析故障的方法与技巧，并迅速采取正确的措施来修复设备。还要具备良好的团队合作精神，与其他工程师一起合作解决复杂的问题。

三、团队合作：

半导体技术工作通常需要团队合作，这是一个互补与相互配合的过程。团队成员之间需要相互交流和共享资源，以确保项目按时完成。在我所参与的项目中，我负责设计与制造环节，在和其他团队成员的密切合作中，成功完成了一款高性能集成电路的开发与测试。这次经历让我深刻理解到团队合作在半导体技术工作中的重要性。

半导体技术工作是一项重要而多样化的工作，它需要工程师们全面掌握设计、制造、测试、维修等技能，并具备团队合作的能力。随着半导体技术的不断发展，这个领域中的挑战也会随之增加。但是，通过持续地学习和不断提高自己的技能，我相信我能够在半导体技术的工作中不断取得更大的成就，为科技进步做出更大的贡献。

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一、市场分析

首先，我们需要对当前半导体市场的需求、竞争态势、技术发展趋势进行深入分析。这包括对目标客户群体的需求分析，对竞争对手的销售策略、产品特点、市场占有率等进行研究，以及对新技术、新应用领域的探索。通过这些分析，我们可以更好地理解市场，为后续的销售策略制定提供依据。

二、销售目标

基于市场分析，我们需要设定明确的销售目标。这包括销售额、市场份额、客户数量等具体的'量化指标。同时，目标应具有挑战性，但也应考虑到实际可达成的可能性。

三、产品策略

针对市场需求和竞争态势，我们需要制定相应的产品策略。这可能涉及到产品的定位、定价、推广等方面。需要强调的是，产品策略应与公司整体战略和市场环境相适应。

四、销售策略

在确定了产品策略后，我们需要制定具体的销售策略。这包括销售渠道的选择、销售团队的组建和培训、销售激励措施的制定等。同时，我们还需要制定针对不同客户群体的销售策略，以提高销售效率。

五、市场推广

为了提高产品的知名度和影响力，我们需要制定有效的市场推广计划。这可能包括线上线下的广告投放、参加行业展会、举办产品发布会等形式。推广活动应与销售策略相配合，以实现最佳的市场效果。

六、客户服务与支持

优质的客户服务是提高客户满意度和忠诚度的关键。我们需要制定完善的客户服务流程，提供及时的技术支持和售后服务，以增强客户对产品的信任和依赖。

七、评估与调整

最后，我们需要定期评估销售计划的执行情况，分析实际销售数据与预期目标的差异，及时调整销售策略和计划。同时，我们也需要关注市场变化和技术发展，以应对可能出现的不确定性因素。

半导体设备转正报告总结 〖7〗

顾名思义，利用电子的自旋来进行数据的存储、传输和计算的半导体我们称为自 旋半导体，研究自旋半导体的科学叫做自旋电子学。自旋是电子的内禀性质，是纯量子效应，并且电子之间的自旋耦合方式和物质的磁性有密切关系，所以自旋半导体多是用掺杂磁性物质的半导体来制作的，使用磁场来控制自旋电流的极化和输运。由于电子自旋的极化和输运需要非常少的电流来控制，并且自旋反转是瞬间完成的，所以自旋半导体器件具有极低的功耗和极快的反应时间，是下一代存储器的最有希望的'备选技术。

自选半导体是近年来飞速发展的前沿学科领域之一。自旋轨道耦合是影响常见的半导体材料自旋调控和弛豫的重要物理机理，因此是半导体自旋电子学器件应用必须考虑的关键因素。近年来，国际上关于半导体中自旋轨道耦合引致的各种新奇的物理现象并取得了许多重要的进展，如本征自旋Hall效应等。这些研究为在半导体中产生自旋流提供了新的途径，并为未来的全电操纵的自旋电子学器件提供了物理基础。但是，在这些工作中大多分别独立地研究导带电子或价带空穴，相互之间不存在耦合，自旋轨道耦合恰恰是来自这种导带－价带的耦合。如果微扰地计入导带－价带耦合就可以得到目前国际上广泛使用的Rashba自旋轨道耦合的哈密顿。

近日，中国科学院半导体研究所的常凯研究员，博士生杨文基于多带的有效质量理论，研究了窄禁带半导体量子阱 自旋半导体中的自旋轨道耦合，发现自旋劈裂随电子波矢的增加而呈现强烈的非线性关系。他们建立的新模型能够很好地描述非线性行为，并给出了非线性起源的物理图像。最近，他们同与美国斯坦福大学张守晟教授合作，研究了窄禁带半导体量子阱中的自旋Hall效应。他们基于多带有效质量理论，采用Green函数方法，考虑到杂质散射的顶角修正，建立了关于n型和p型半导体中自旋霍尔效应的统一的理论框架。该理论可以很好地处理强导带－价带耦合情形，即窄禁带半导体量子阱情形。他们发现利用外加电场和量子阱宽度可以在窄禁带半导体量子阱中引致量子相变，从而实现本征自旋Hall效应的开关。这种开关效应可能会被用来验证本征自旋霍尔效应的存在。该系列的最新研究工作得到了国家基金委杰出青年基金和科学院知识创新工程项目的支持。并以“IntrinsicSpinHallEffectInducedbyQuantumPhaseTransitionsinHgCdTeQuantumWells”为题发表在《物理评论快报》PRL,100,056602(2008)上。这些工作引起了德国Wurzburg大学实验小组的强烈兴趣，相关实验工作正在进行中。

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教学目标

了解半导体以及半导体在现代科学技术中的应用.

知道半导体在现代科技中的重要性，树立科技强国的观念.

教材从分析导体和绝缘体的区别入手，进一步引入另一种介乎导体和绝缘体之间的材料－－半导体.接着分析了半导体的特点并提出问题.

教材又结合实例，介绍几种半导体的特性，说明了半导体地重要性.

本节的教学要注重科技的联系，避免孤立的学习，要注意联系实际．

可以提出问题学生自主学习，学生根据提出的问题，可以利用教材和教师提供的一些资料进行学习．

也可以教师提出课题，学生查阅资料，从收集资料、信息的过程中学习，提高收集信息和处理信息的能力．

方法1、学生阅读教材，教师提供一些半导体的材料，教师提出一些问题，学生阅读时思考，例如：半导体和导体、绝缘体的有什么不同？你知道那些半导体元件？半导体都在哪些地方有应用？

方法2、对于基础较好的.班级，可以采用实验探究和信息学习的方法．实例如下

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一、解释下列概念：(20 分)

1、霍尔效应：

2、共有化运动

3、杂质补偿

4、肖特基势垒

5、 非平衡载流 子寿命

二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。(10 分)

三、简述产生半导体激光的基本条件。(10 分)

四、简述半导体光吸收的主要物理过程，并在能带示意图上定性表示之。(10 分)

五、试述什么是简并、 非简并半导体;给出非简并、弱简并及简并半导体的区分标准， 并说明其含义。(15 分)

六、请解释迁移 率概念，并说明对于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素。(15 分)

七、请定性画出n-n 型异质结平衡 时能带图，并给予简要解释。(15 分)

八、 用n 型Si 衬底制成MOS 电容，解释该结构在积累、耗尽、弱 反型、强反型下的` 电容值变化规律，并画出高频、低频的C-V 曲线。(15 分)

九、 在半导体硅材料中掺 入施主杂质浓度 N D = 10 15 /cm 3 ，受主杂质浓度 N A = 4× 10 14 /cm 3 ;设室温下本征硅材料的电 阻率? i =2.2×10 5 ?.cm，假设电子和空穴的迁 移率分别为? n = 1350cm 2 /(V.S), ? p = 500cm 2 /(V.S)，不考虑杂质浓度对迁移率的影 响，求掺杂样品的电导率。(20 分) 十、 施主浓度N D = 10 16 /cm 3 的n 型单晶硅片，求室温下功函数是多少?若忽略表面 态的影响，当它同金属 Al、Au、Mo 接触时， 分别形成何种接触?并定性画出 该n 型硅与金属Al

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一、光催化的机理：半导体或金属氧化物在光的照射下，被能量大于或等于禁带宽度的光子所激 发，产生具有一定能量的电子和空穴，这些电子和空穴在半导体或金属氧化物颗粒内部以及界面之间的转移或失活。当它们到达半导体或金属氧化物表面并与其表面吸附物质发生氧化还原反应，产生一些具有强氧化性的自由基团和一些具有氧化性的物质，这些强氧化性的自由基团和具有氧化性物质与被降解污染物充分作用，使其氧化降解为二氧化碳和水。

二、其中半导体作为催化剂在光催化领域中有广泛的应用。1尹立松，沈辉综述了二氧化钛光催化研究的国内外进展及其发展概况，一方面之处作为催化剂用的二氧化钛应摈弃使用高中压汞灯、强紫外灯作为催化光源而直接利用太阳能。另一方面，要提高光催化反应速率和提高反应效率。2武荣国、司民真对二氧化钛光催化原理、制备方法、对有机污染物处理研究现状、影响二氧化钛光催化因素等六个方面综述说明二氧化钛光催化在废水有机污染物处理中的应用前景。3孙晓军、蔡伟民介绍了近年来国内外二氧化钛 (TiO2 )半导体光催化技术的研究进展 ,主要涉及TiO2 光催化氧化机理、高活性TiO2 光催化剂的制备与改性、

4TiO2 担载及该技术在环境保护中的应用等方面的研究 。张卫华、李晓彤等人研究了有关

要影响二氧化钛光催化效率的研究，并对提高其光催化效率的方法进行了综述。5王文中, 尚 萌, 尹文宗, 任 佳, 周 林概述了 Bi2WO6、BiVO4和 Bi2MoO6三种常见的含铋复合氧化物可见光催化材料体系的近期研究进展.通过合成方法的优选、晶粒成核和生长的调节,实现晶粒尺寸、形貌、结晶度等微结构的控制,从而获得小尺寸、高表面积的光催化材料, 无论是在有机染料、苯酚和乙醛等多种模拟污染物的矿化, 还是抗菌等方面, 它们皆呈现出优秀的可见光催化性能.通过进一步发展, 含铋复合氧化物有望实现在环境净化领域的应用.6汪多仁研究了二氧化钛光催化降解农药的性能、生产的主要技术路线与最佳的操作条件及有关进展情况，对现工业化运行的主要二氧化钛光催化降解农药生产工艺的技术特点进行了具体的分析和总结，并阐述了国内外研究开发的现状与发展趋势，并探讨了扩大应用范围的前景与市场的需求。7肖信、张伟德分析了半导体光催化剂和碳纳米管的特点，总结了碳纳米管增强半导体光催化的机理。然后分别从复合材料制备方法、复合半导体种类和典型的应用三个不同的角度，归纳总结近年来碳纳米管/半导体管复合材料光催化的研究进展，最后对其发展趋势作了展望。

潘力军、金银龙介绍了饮用水有机污染物的现状、来源及其对健康的影响。综述了二氧化钛光催化技术降解饮用水中天然有机物、人工合成有机物和消毒副产物的最新研究进展。9王跃指出银基微纳米半导体在可见光辐射下表现出良好的光催化性能。10刘宗国、刘先平分为两种类型阐述了已报道的用于光催化分解水制氢反应的二元半导体第一文库网体系。一种为将两种半导体复合为一体；另一种为将两种半导体分散加到光催化反应液中z型体系。并分析了z型体系的优缺点，指出对于z型体系的放氢催化剂和放氧催化剂也可以分别进行二元复合改性，以抑制光激发载流子的复合，提高整个体系的光催化效率。11粱智研究单斜相BiVO4纳米粉体的软化学制备工艺及其可见光下的光催化性能,分析不同的反应条件对产物物相组

12 成、微观形貌及光催化性能的影响。施章宏、刘斌、窦天军、黄鹤翔采取N过量,改变Sm

浓度的方式,借助于溶胶-凝胶法成功制备了稀土金属Sm和无机非金属N有机结合的Sm-N-TiO2样品。研究了Sm掺杂对N-TiO2光催化剂的结构、光吸收和光催化活性的影响,并对甲基橙溶液进行降解实验。结果表明,制备的Sm-N-TiO2与未掺Sm的N-TiO2相比有较高的

13光催化活性。掺杂1.0%(摩尔分数)Sm,650℃焙烧4h条件下得到的样品性能最佳。张磊、杨

国锐、常薇、延卫通过静电纺丝和水热法联用成功制备了ZnxCd1-xS/TiO2核壳纳米纤维。8

利用XRD、SEM、UV-vis、EDS、BET对样品结构等进行了表征。结果表明,在TiO2纳米纤维表面生长了一层致密的ZnxCd1-xS纳米颗粒,形成ZnxCd1-xS/TiO2核壳型异质复合材料,且其光催化活性均比纯TiO2纳米纤维高。通过调节水热温度,可以控制ZnxCd1-xS表面形貌和x值。当水热温度为200℃时,x值最大,材料光催化活性最高。陈晶玲、操小鑫、陈亦琳、高碧芬、林碧洲采用NH3-H2气氛两步热处理法制备氮掺杂氧缺陷TiO2,用X射线粉末衍射、N2吸附BET法、X射线光电子能谱、元素分析、电子自旋共振谱、紫外可见漫反射光谱和荧光光谱等技术对样品的晶相结构、表面化学状态、氮含量、氧缺陷位种类及含量、光吸收性能和光生载流子的分离效率等性质进行了表征,研究了H2气氛中不同热处理时间对催化剂性能的影响和催化剂样品在可见光(λ>400 nm)条件下的光催化氧化能力。结果表明,掺氮TiO2催化剂经H2热处理1 h后具有较好的`可见光催化活性,对苯的转化率和矿化率分别为66.8%和47.5%,其降解效率高于单掺杂催化剂活性的总和,双掺杂光催化剂活性的提高与14氮杂质氧缺陷双光活性中心的协同增强作用有关。张文莉、戴飞、陈欣、蒋银花、郭雷群以钛酸正丁酯和硝酸铁为原料,纳米碳球为硬模板剂采用低温回流-煅烧法成功制备了不同比例的Fe3+/TiO2纳米空心球。采用FE-SEM、TEM、XRD,UV-Vis及EDS对制得的样品进行表征。FE-SEM和TEM结果表明,制得样品均为空心球结构,其中Fe3+掺杂后空心球的壁厚有所增加。UV-Vis光谱表明,Fe3+掺杂的TiO2样品对可见光的响应明显增强。以阳离子蓝为目标污染物进行可见光催化降解,试验结果表明,Fe3+/Ti4+摩尔比为0.5:100时,样品的光催化效果最好,降解效率达到83.2%,是TiO2空心球降解效率的4.16倍，降解反应符合1级动力学方程。 15

迄今为止，光化学、光催化以及催化化学式目前在化学学科中最活跃的研究领域之一，特别是光催化领域。利用半导体光催化剂是把光能转化为电能和化学能，成为最热门的研究之

一。而且最近几年来，利用纳米二氧化钛光催化剂成膜后的超亲水性和光催化活性研制开发具有自清洁和光催化性能的纳米光催化膜功能材料，给纳米光催化技术的基础研究和开发应用注入了新的活力。使纳米光催化成为近年国际上最活跃的研究领域之一。一个以纳米光催化技术为核心的高新技术产业正在逐步形成，并且二氧化钛光催化剂因其高活性、低成本、稳定性好而引起人们极大的重视，使光催化的研究进入一个崭新的阶段。但是现在也有相应问题值得我们去探讨如：在光催化领域量子效率比较低，我们如何提高光催化中的量子效率我们可以对二氧化钛进行改性其中相应的措施有（1）改变催化剂的尺寸（2）与贵金属复合当然我们也可以积极寻找禁带更窄的催化剂材料。

三、参考文献

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半导体设备转正报告总结 〖11〗

我在过去的一年中，在半导体技术领域中进行了大量工作。这一年来，我不仅深入了解了半导体技术的基础知识和原理，还在实验室中进行了大量的研究和实践。在这篇文章中，我将总结我在半导体技术工作中的经验和收获，希望能对读者有所启发。

一、技术了解与应用

在过去的一年中，我全面了解了半导体技术的基本知识，包括半导体材料的性质与特点，晶体生长与制备技术，半导体器件的原理与结构设计等。通过学习和实践，我不仅掌握了相关理论知识，还能够将其应用于实际工作中。

在研究过程中，我首先选取了几个常见的半导体材料进行了深入研究，如硅、锗和化合物半导体等。我仔细分析了它们的物理性质和电学特性，并对其生长和制备技术进行了详细了解。通过实验和测试，我成功地制备了一些半导体样品，并通过测试验证了它们的性能。

二、实验研究与结果分析

在实验室中，我主要开展了半导体材料的晶体生长和器件制备的实验研究工作。在进行晶体生长实验时，我选择了一种先进的气相外延技术进行，通过调节气氛和温度等条件，成功地制备出了高质量的半导体晶体。在器件制备方面，我主要研究了半导体光电器件的制备工艺，如光电二极管和太阳能电池等。通过优化制备工艺，我提高了器件的效率和性能。

除了实验研究，我还对实验结果进行了详细的分析和研究。我针对我们制备的半导体样品进行了电学性能测试，并利用光电子显微镜对样品的显微结构进行了观察。通过分析实验数据和显微结构，我发现了一些有趣的现象和规律，从而为半导体器件的性能改进提供了宝贵的经验。

三、团队合作与交流

在半导体技术工作中，我还参与了团队项目，并与团队成员进行了频繁的合作与交流。我与团队成员分享了我的研究进展和实验结果，并听取了他们的建议和意见。通过团队的力量，我不仅学到了更多的知识和技能，还培养了团队合作和交流的能力。

在团队合作中，我负责协调实验进度和资源分配，并组织团队成员进行实验和数据分析。我积极参与团队讨论，提出了一些创新和改进的点子，并与团队成员一起实施和验证。通过团队的努力，我们成功地完成了多项研究任务，并在相关领域做出了一定的贡献。

通过这一年的半导体技术工作，我不仅深入了解了半导体技术的基本知识和原理，还在实践中积累了丰富的经验和技能。我学会了将理论知识应用于实际工作中，并通过实验和研究不断提升自己的能力。在团队合作和交流中，我培养了团队合作和沟通能力，并从团队成员中学到了很多。我相信，这些经验和收获将对我的未来职业发展产生深远的影响。

半导体设备转正报告总结 〖12〗

我在半导体技术方面实习了两个月，这是一个非常有意义的经验。我学到了很多理论知识，同时也有机会亲身参与半导体芯片的制造过程，感受到了实际操作中的挑战和乐趣。在此，我想分享一下我的实习心得体会。

首先，关于半导体技术的理论知识方面，我了解了半导体材料的基本类型、电子结构、掺杂方式、PN结和晶体管等基础知识，还学习了光刻、化学机械抛光、薄膜沉积、离子注入等工艺流程。这些知识体系相互联系，对于我理解芯片制作的整体流程、材料选择和加工过程起到了至关重要的作用。

其次，是实际操作技巧。我有机会亲自参与了半导体芯片制造的几个环节，从晶圆切割、光刻到化学机械抛光、薄膜沉积等。这些操作非常精细而繁琐，需要极其高超的技巧和严密的流程控制。我不得不承认，这些工艺流程的成功需要精密的设备、高效的工艺和丰富的经验，才能在实验室里实现一个稳定的流程，并且能够重复生产出符合标准的半导体芯片。

第三，是实践中遇到的挑战。半导体制造涉及到很多的实践操作，而不是仅靠理论知识就能完全掌握。这包括了一些技巧性极强的操作和在特定条件下实验结果和理论预期有偏差的的情况。对于这样的情况，我们必须严密的分析问题和对每一步进行反复检查、排除故障。然后，根据实验数据进行数据处理和模拟，进一步理解实验现象。这样的操作让我不断地学习如何处理问题，如何实现更有效的数据分析和如何解决实际工作中遇到的问题。

最后，感想与启示。实习期间，我学到了很多知识，更理解了半导体技术的重要性。我也意识到半导体芯片制造需要科研和实践相结合，需要工程技术和材料科学的融合，才能够建立牢固的理论基础和完善的工艺流程。看到了半导体工业的迅速发展和对未来科技的深远影响，我被这份工作所吸引。我希望将来能够在这个领域创造出更多卓越的成果。

总之，这次实习让我受益匪浅。我认为，这份工作让我更深入的了解了半导体芯片制造的过程，还让我享受到了从理论到实践的协调，从成功到挑战的追求和实现。通过这些机会，我希望自己能够在未来有一个发展的方向和出色的职业道路。在我看来，学习和创新是必不可少的，这是实现自己职业目标和远大理想的基石。

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